Szczegóły

Tytuł artykułu

Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO2 and Si-SiO2 interfaces of the metal-oxide-semiconductor structures

Tytuł czasopisma

Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences

Rocznik

2006

Wolumin

vol. 54

Numer

No 4

Autorzy

Słowa kluczowe

barrier height ; effective contact potential difference ; MOS system

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

461-468

Data

2006

Typ

Artykuły / Articles

Identyfikator

ISSN 2300-1917

Źródło

Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences; 2006; vol. 54; No 4; 461-468
×