Szczegóły

Tytuł artykułu

Ultra-low Power FinFET SRAM Cell with Improved Stability Suitable for Low Power Applications

Tytuł czasopisma

International Journal of Electronics and Telecommunications

Rocznik

2019

Wolumin

vol. 65

Numer

No 4

Autorzy

Słowa kluczowe

FinFET ; RSNM ; WSNM ; Hold Margin ; Subthreshold ; Leakage Power

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

603-609

Wydawca

Polish Academy of Sciences Committee of Electronics and Telecommunications

Data

2019.11.03

Typ

Article

Identyfikator

DOI: 10.24425/ijet.2019.129819 ; eISSN 2300-1933 (since 2013) ; ISSN 2081-8491 (until 2012)

Źródło

International Journal of Electronics and Telecommunications; 2019; vol. 65; No 4; 603-609
×