Szczegóły

Tytuł artykułu

Application of poly-energy implantation with H+ ions for additional energy levels formation in GaAs dedicated to photovoltaic cells

Tytuł czasopisma

Archives of Electrical Engineering

Rocznik

2019

Wolumin

vol. 68

Numer

No 4

Autorzy

Słowa kluczowe

energy levels ; gallium arsenide ; intermediate band solar cells ; ion implantation ; thermal admittance spectroscopy

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

925-931

Wydawca

Polish Academy of Sciences

Data

2019.12.02

Typ

Artykuły / Articles

Identyfikator

DOI: 10.24425/aee.2019.130692 ; ISSN: 1427-4221 ; eISSN: 2300-2506

Źródło

Archives of Electrical Engineering; 2019; vol. 68; No 4; 925-931
×