Tytuł artykułu

Optoelectronic pressure dependent study of MgZrO3 oxide and ground state thermoelectric response using Ab-initio calculations

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2019

Wolumin

vol. 27

Numer

No 2

Autorzy

Noor, N.A. ; Rashid, M. ; Mahmood, Q. ; Ul Haq, B. ; Naeem, M.A. ; Laref, A.

Słowa kluczowe

Pressure-induced structure ; Direct band gap semiconductors ; Thermal efficiency ; Dispersion light ; Density functional theory (DFT)

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

194-201

Data

05.07.2019

Typ

Artykuły / Articles

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2019; vol. 27; No 2; 194-201