Tytuł artykułu

THz detectors based on Si-CMOS technology field effect transistors – advantages, limitations and perspectives for THz imaging and spectroscopy

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2018

Wolumin

vol. 26

Numer

No 4

Autorzy

Marczewski, J. ; Coquillat, D. ; Knap, W. ; Kolacinski, C. ; Kopyt, P. ; Kucharski, K. ; Lusakowski, J. ; Obrebski, D. ; Tomaszewski, D. ; Yavorskiy, D. ; Zagrajek, P. ; Ryniec, R. ; Palka, N.

Słowa kluczowe

Submillimeter wave detectors ; THz detectors ; THz imaging ; THZ spectroscopy ; CMOS technology

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

261-269

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

13.09.2018

Typ

Article

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2018; vol. 26; No 4; 261-269