Szczegóły Szczegóły PDF BIBTEX RIS Tytuł artykułu Low-temperature growth of GaSb epilayers on GaAs (001) by molecular beam epitaxy Tytuł czasopisma Opto-Electronics Review Rocznik 2016 Wolumin vol. 24 Numer No 1 Autorzy Benyahia, D. ; Kubiszyn, Łukasz ; Michalczewski, Krystian ; Kębłowski, A. ; Martyniuk, Piotr ; Piotrowski, J. ; Rogalski, A. Słowa kluczowe MBE ; GaSb ; GaAs ; IR detectors Wydział PAN Nauki Techniczne Zakres 40-45 Wydawca Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology Data 08.02.2016 Typ Article Identyfikator ISSN 1896-3757 Źródło Opto-Electronics Review; 2016; vol. 24; No 1; 40-45