Szczegóły

Tytuł artykułu

AlSb and InAs-GaSb layer thickness effect on HH-LH splitting and band gap energies in InAs/AlSb/GaSb type-II superlattices

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2015

Wolumin

vol. 23

Numer

No 1

Autorzy

Słowa kluczowe

InAs/AlSb/GaSb type−II SL structure ; HH−LH splitting ; N−structure ; DFT ; layer thickness effect

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

24-27

Wydawca

Association of Polish Electrical Engineering and Polish Academy of Sciences in cooperation with Military University of Technology

Data

27.01.2015

Typ

Article

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2015; vol. 23; No 1; 24-27
×