Tytuł artykułu

Background donor concentration in HgCdTe

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2015

Wolumin

vol. 23

Numer

No 3

Autorzy

Izhnin, I.I. ; Mynbaev, K.D. ; Voitsekhovsky, A.V. ; Korotaev, A.G. ; Fitsych, O.I. ; Pociask-Bialy, M. ; Dvoretsky, S.A.

Słowa kluczowe

HgCdTe ; background doping ; donor impurities ; ion milling

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

200-207

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

14.07.2015

Typ

Article

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2015; vol. 23; No 3; 200-207

Indeksowanie w bazach

Abstracting and Indexing:
Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang

additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar