Szczegóły Szczegóły PDF BIBTEX RIS Tytuł artykułu Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes Tytuł czasopisma Bulletin of the Polish Academy of Sciences Technical Sciences Rocznik 2020 Wolumin 68 Numer No. 2 (i.a. Special Section on Computational Intelligence in Communications) Autorzy Taube, A. ; Sochacki, M. Słowa kluczowe edge termination ; silicon carbide ; 4H-SiC ; p-i-n diode ; breakdown voltage ; JTE Wydział PAN Nauki Techniczne Zakres 367-375 Data 30.04.2020 Typ Article Identyfikator DOI: 10.24425/bpasts.2020.133108 ; ISSN 2300-1917 Źródło Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences; 2020; 68; No. 2 (i.a. Special Section on Computational Intelligence in Communications); 367-375 <div class="test"></div>