Szczegóły Szczegóły PDF BIBTEX RIS Tytuł artykułu The method for extracting defect levels in the MCT multilayer low-bandgap heterostructures Tytuł czasopisma Opto-Electronics Review Rocznik 2024 Wolumin 32 Numer 1 Afiliacje Majkowycz, Kinga : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Kopytko, Małgorzata : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Murawski, Krzysztof : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Martyniuk, Piotr : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland Autorzy Majkowycz, Kinga ; Kopytko, Małgorzata ; Murawski, Krzysztof ; Martyniuk, Piotr Słowa kluczowe deep-level transient spectroscopy (DLTS) ; traps ; MOCVD ; MCT Wydział PAN Nauki Techniczne Zakres e149182 Wydawca Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology Data 18.02.2024 Typ Article Identyfikator DOI: 10.24425/opelre.2024.149182 ; ISSN 1896-3757