Szczegóły
Tytuł artykułu
Characterization of GaN nanostructures by electron field and photo-field emissionTytuł czasopisma
Opto-Electronics ReviewRocznik
2017Wolumin
vol. 25Numer
No 3Autorzy
Słowa kluczowe
GaN nanostructures ; Electron field emission ; Photo-field emission ; Electron redistribution ; Illumination ; Quantum effectsWydział PAN
Nauki TechniczneZakres
251-262Wydawca
Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of TechnologyData
17.08.2017Typ
ArticleIdentyfikator
ISSN 1896-3757Źródło
Opto-Electronics Review; 2017; vol. 25; No 3; 251-262Indeksowanie w bazach
Abstracting and Indexing:Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang
additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar