Tytuł artykułu

The growth and characterisation of type I GaSb/AlSb superlattice with a thin GaSb layer

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2023

Wolumin

31

Numer

4

Afiliacje

Fokt, Maciej : Łukasiewicz Research Network – Institute of Microelectronics and Photonics, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland ; Fokt, Maciej : Warsaw University of Technology, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warsaw, Poland ; Jasik , Agata : Łukasiewicz Research Network – Institute of Microelectronics and Photonics, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland ; Sankowska , Iwona : Łukasiewicz Research Network – Institute of Microelectronics and Photonics, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland ; Mączko , Herbert S. : nextnano GmbH, Konrad-Zuse-Platz 8, 81829 München, Germany ; Paradowska , Karolina M. : Łukasiewicz Research Network – Institute of Microelectronics and Photonics, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland ; Czuba, Krzysztof : Łukasiewicz Research Network – Institute of Microelectronics and Photonics, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland ; Czuba, Krzysztof : Warsaw University of Technology, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warsaw, Poland

Autorzy

Fokt, Maciej ; Jasik , Agata ; Sankowska , Iwona ; Mączko , Herbert S. ; Paradowska , Karolina M. ; Czuba, Krzysztof

Słowa kluczowe

Type I AlSb/GaSb superlattice ; 8-band k·p perturbation theory ; nextnano simulations ; AlSb layer degradation

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

e147912

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

15.10.2023

Typ

Article

Identyfikator

DOI: 10.24425/opelre.2023.147912 ; ISSN 1896-3757